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半导体研究所 [12]

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半导体材料 [12]

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限定条件	学科主题：半导体材料

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	Growth and characterization of GaInNAs by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method 期刊论文 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727 Zhao H; Wang SM; Zhao QX; Sadeghi M; Larsson A 收藏 \| 浏览/下载：180/35 \| 提交时间：2010/03/08 Quantum well Dilute nitride Rapid thermal annealing InGaAs GaInNAs
	High-quality GaNAs/GaAs quantum wells with light emission up to 1.44 mu m grown by molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 14, 页码: art.no.141913 Wang SM; Gu QF; Wei YQ; Sadeghi M; Larsson A; Zhao QX; Wang XD; Ma CH; Xing ZG 收藏 \| 浏览/下载：134/45 \| 提交时间：2010/03/17 GAINNAS
	Temperature-induced switching-over of the luminescence transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells 期刊论文 chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 548-551 Bian LF; Jiang D; Liang XG; Lu SL 收藏 \| 浏览/下载：41/18 \| 提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY
	Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of GaInAs/GaNAs quantum wells 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160 作者: Jiang DS 收藏 \| 浏览/下载：55/0 \| 提交时间：2010/08/12 interdiffusion post-annealing quantum wells GaInNAs/GaAs MOLECULAR-BEAM EPITAXY CARRIER LOCALIZATION GAINNAS LUMINESCENCE ORIGIN GAASN
	The effect of inserting strain-compensated GaNAs layers on the luminescence properties of GaInNAs/GaAs quantum well 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 339-344 作者: Jiang DS 收藏 \| 浏览/下载：57/0 \| 提交时间：2010/08/12 quantum wells GaInNAs strain-compensated GaNAs layers MOLECULAR-BEAM EPITAXY PHOTOLUMINESCENCE LASERS THRESHOLD
	The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266 作者: Jiang DS 收藏 \| 浏览/下载：46/0 \| 提交时间：2010/08/12 photoluminescence molecular beam epitaxy quantum wells III-V semiconductors MOLECULAR-BEAM EPITAXY SINGLE-QUANTUM-WELL LUMINESCENCE GAAS LOCALIZATION BEHAVIOR LAYER
	Metalorganic chemical vapor deposition of GaNAs alloys using different Ga precursors 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 4, 页码: 516-522 Wei X; Wang GH; Zhang GZ; Zhu XP; Ma XY; Chen LH 收藏 \| 浏览/下载：81/2 \| 提交时间：2010/08/12 high resolution X-ray diffraction precursor metalorganic chemical vapor depositions gallium compounds LASER-DIODES SOLAR-CELLS BAND-GAP GAINNAS DIMETHYLHYDRAZINE GROWTH PYROLYSIS EPITAXY
	Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 516-520 Pan Z; Li LH; Zhang W; Wang XU; Lin YW; Wu RH 收藏 \| 浏览/下载：82/10 \| 提交时间：2010/08/12 adsorption characterization radiation molecular beam epitaxy nitrides SURFACE-EMITTING LASER QUANTUM-WELLS OPERATION RANGE
	In原子掺入对GaInNAs/GaAs单量子阱光致发光的影响期刊论文发光学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 151 王志路; 张志伟; 孙宝权收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2010/11/23
	Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 527-531 Li LH; Pan Z; Zhang W; Lin YW; Wang XY; Wu RH 收藏 \| 浏览/下载：81/6 \| 提交时间：2010/08/12 characterization defects X-ray diffraction molecular beam epitaxy nitrides GAAS

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