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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Tuning exciton energy and fine-structure splitting in single InAs quantum dots by applying uniaxial stress 期刊论文 aip advances, 2016, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 045204 Dan Su; Xiuming Dou; Xuefei Wu; Yongping Liao; Pengyu Zhou; Kun Ding; Haiqiao Ni; Zhichuan Niu; Haijun Zhu; Desheng Jiang; Baoquan Sun 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/16 Anomalous temperature dependence of photoluminescence peak energy in InAs/InAlAs/InP quantum dots 期刊论文 solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 11, 页码: 606-610 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：100/0  |  提交时间：2010/04/11 nanostructures  semiconductors  optical properties  luminescence  WAVELENGTH  NANOSTRUCTURES  INTERBAND  LASERS   Structure and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots with In0.15Ga0.85As underlying layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 395-400 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  molecular beam epitaxy  nanomaterials  quantum dots  semiconducting III-V materials  1.3 MU-M  TEMPERATURE-DEPENDENCE  EXCITED-STATES  INXGA1-XAS  GROWTH  LASERS  INP   Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 3, 页码: 304-308 作者:  Xu B;  Li CM;  Jin P;  Ye XL;  Li DB 收藏  |  浏览/下载：97/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  THRESHOLD CURRENT  MU-M  LASERS   Optical properties of InGaAs quantum dots formed on InAlAs wetting layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 224, 期号: 1-2, 页码: 41-46 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：77/2  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  ELECTRON-PHONON INTERACTIONS  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS  CARRIER TRANSFER  INAS  GAAS  LASERS  ISLANDS  GROWTH  GAIN   Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368 Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH 收藏  |  浏览/下载：93/3  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  optical microscopy  molecular beam epitaxy  nanomaterials  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  M PHOTOLUMINESCENCE  INGAAS OVERGROWTH  GAAS  DOTS  EMISSION  ENERGY  LASER   LIQUID-PHASE EPITAXY GROWTH AND PROPERTIES OF GAINASSB/ALGAASSB/GASB HETEROSTRUCTURES 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 1991, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 1343-1347 GONG XY; YANG BH; MA YD; GAO FS; YU Y; HAN WJ; LUI XF; XI JY; WANG ZG; LIN LY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15 ROOM-TEMPERATURE OPERATION  ALLOY COMPOSITION  WAVELENGTH RANGE  LATTICE-CONSTANT  LASERS  GASB  GAINASSB  BANDGAP