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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响 期刊论文 物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5536-5541 作者:  王博 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 单边掺杂InAlAs／InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性 期刊论文 物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 4, 页码: 2044-2048 周文政; 姚炜; 朱博; 仇志军; 郭少令; 林铁; 崔利杰; 桂永胜; 褚君浩 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/11/23 半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1934-1939 作者:  王博 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/11/23 Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films 会议论文 international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003 Chen WD; Song SF; Zhu JJ; Wang XL; Chen CY; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/15 doping  metalorganic chemical vapor deposition  molecular beam epitaxy  gallium compounds  semiconducting gallium compounds  ERBIUM   低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 967-971 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 掺P、B对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响 期刊论文 电子显微学报, 2002, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 659-660 王文青; 宋淑芳; 艾家和; 韩晓英; 赵金茹; 许宏飞; 史利军 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/23 掺杂nc-Si∶H膜的电导特性 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 308 彭英才; 刘明; 何宇亮; 李月霞 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23