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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In0.25Ga0.75As growth on low-temperature thin buffer layers formed on GaAs (001) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 126-130 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 dislocation  interfaces  strain  molecular beam epitaxy  semiconductor IIIV materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SURFACE-MORPHOLOGY  TECHNOLOGY  GAAS(001)  BEHAVIOR  SI   ELECTRICAL CHARACTERS OF OXYGEN DEFECTS IN SILICON SUBJECTED TO INTRINSIC GETTERING TREATMENT 期刊论文 journal of applied physics, 1991, 卷号: 70, 期号: 1, 页码: 511-513 LI JM 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15 CZOCHRALSKI-GROWN SILICON  MICRODEFECTS  DISLOCATIONS  BEHAVIOR  WAFERS