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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2005 [1]
2003 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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学科主题:半导体材料
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Crack-free GaN/Si(111) epitaxial layers grown with InAlGaN alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340
作者:
Li DB
;
Wei HY
;
Han XX
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浏览/下载:59/22
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提交时间:2010/03/17
cracks
Strain accommodation of 3C-SiC grown on hydrogen-implanted Si (001) substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 321-325
作者:
Li DB
收藏
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浏览/下载:59/0
  |  
提交时间:2010/08/12
substrate
heteroepitaxy
low pressure chemical vapor deposition
semiconducting silicon carbide
COMPLIANT SUBSTRATE
CRITICAL THICKNESS
SILICON
RELAXATION
MECHANISM
DEFECTS
LAYERS
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