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| 大尺寸硅衬底上氮化物外延生长及HEMT制备技术研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2017 刘波亭
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| 硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 刘广政
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| 常关型GaN HEMT器件制备研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 黄宇亮
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| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 李士颜
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| 硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2014 周旭亮
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| Ⅲ-Ⅴ族化合物异质结中二维电子气迁移率的研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2013 刘贵鹏
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2013/06/20 |
| GaN 基 HEMT材料的新结构研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 毕杨
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:33/0  |  提交时间:2012/05/30
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| 锑化物高电子迁移率晶体管的材料与器件研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 李彦波
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2012/06/18 |
| Scattering due to spacer layer thickness fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaAs/GaAs modulation-doped heterostructures 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 2, 页码: 23705 Liu GP; Wu J; Lu YW; Li ZW; Song YF; Li CM; Yang SY; Liu XL; Zhu QS; Wang ZG
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| VLS growth of SiOx nanowires with a stepwise nonuniformity in diameter 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.84328 Huang SL; Wu Y; Zhu XF; Li LX; Wang ZG; Wang LZ; Lu GQ
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