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大尺寸硅衬底上氮化物外延生长及HEMT制备技术研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
刘波亭
收藏  |  浏览/下载:116/0  |  提交时间:2017/06/05
GaN  Si  应变  HEMT  迁移率  
硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘广政
收藏  |  浏览/下载:506/0  |  提交时间:2016/06/03
常关型GaN HEMT器件制备研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
黄宇亮
收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2016/06/06
基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
李士颜
收藏  |  浏览/下载:86/0  |  提交时间:2016/06/02
硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
周旭亮
收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2014/05/28
Ⅲ-Ⅴ族化合物异质结中二维电子气迁移率的研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
刘贵鹏
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2013/06/20
GaN 基 HEMT材料的新结构研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
毕杨
收藏  |  浏览/下载:33/0  |  提交时间:2012/05/30
锑化物高电子迁移率晶体管的材料与器件研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
李彦波
收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2012/06/18
Scattering due to spacer layer thickness fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaAs/GaAs modulation-doped heterostructures 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 2, 页码: 23705
Liu GP; Wu J; Lu YW; Li ZW; Song YF; Li CM; Yang SY; Liu XL; Zhu QS; Wang ZG
收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2012/02/06
VLS growth of SiOx nanowires with a stepwise nonuniformity in diameter 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.84328
Huang SL; Wu Y; Zhu XF; Li LX; Wang ZG; Wang LZ; Lu GQ
收藏  |  浏览/下载:29/0  |  提交时间:2011/07/05


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