×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [111]
上海硅酸盐研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [89]
学位论文 [13]
专利 [7]
专著 [1]
会议论文 [1]
成果 [1]
更多...
发表日期
2016 [2]
2012 [4]
2011 [5]
2010 [6]
2008 [4]
2007 [11]
更多...
学科主题
半导体材料 [112]
半导体器件 [2]
光电子学 [1]
半导体物理 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共112条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
II-VI族三元光伏材料ZnSeTe的生长与物性研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
任敬川
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2016/06/03
II-VI族半导体
分子束外延
ZnSeTe
单晶薄膜
掺杂
AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
田迎冬
收藏
  |  
浏览/下载:73/0
  |  
提交时间:2016/06/01
AlN
AlGaN 基深紫外 LED
AlGaN 基紫外 Laser
AlN 纳米柱
半极性面纳米锥
II-VI族叠层太阳电池结构设计与材料工艺研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014
张理嫩
收藏
  |  
浏览/下载:52/0
  |  
提交时间:2014/06/04
II-VI族半导体
分子束外延
离子注入
计算模拟
p型掺杂
硫、碲超饱和掺杂硅材料的制备、表征和光电器件研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
王熙元
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2013/06/20
Al掺杂窄带隙氮化硅半导体及其窄化研究
期刊论文
CrystEngComm, 2012, 期号: 14, 页码: 7929-7933
毛智勇
;
祝迎春
;
曾毅
;
许钫钫
;
99
;
99
;
99
;
99
收藏
  |  
浏览/下载:41/0
  |  
提交时间:2013/07/19
ZnO材料的MOCVD生长、掺杂及相关物性研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
时凯
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2012/06/27
ZnCl_2掺杂n型ZnSe的分子束外延生长
期刊论文
微电子学, 2012, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 881-884
张家奇,杨秋旻,赵杰,崔利杰,刘超,曾一平
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2013/05/29
超饱和硫掺杂硅材料的激光制备及其光电器件研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
刘德伟
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2012/06/18
透明导电材料CuI 缺陷和掺杂特性研究
学位论文
博士后, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
王静
收藏
  |  
浏览/下载:60/5
  |  
提交时间:2011/07/12
第一原理计算
宽带隙半导体
量子点
ZnO掺杂液晶的光折变性质
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
郭玉冰
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2011/06/02
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace