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半导体研究所 [141]
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半导体材料 [141]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Enhanced piezoelectric response of the two-tetragonal-phase-coexisted BiFeO3 epitaxial film
期刊论文
Solid State Communications, 2017, 卷号: 252, 页码: 68–72
作者:
Yajuan Zhao
;
Zhigang Yin
;
Zhen Fu
;
Xingwang Zhang
;
Jingbin Zhu
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2018/06/01
Aligned Growth of Millimeter-Size Hexagonal Boron Nitride Single-Crystal Domains on Epitaxial Nickel Thin Film
期刊论文
small, 2017, 卷号: 13, 页码: 1604179
作者:
Junhua Meng
;
Xingwang Zhang
;
Ye Wang
;
Zhigang Yin
;
Heng Liu
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2018/06/01
Epitaxial growth of non-polar m-plane AIN film on bare and ZnO buffered m-sapphire
期刊论文
journal of crystal growth, 2014, 卷号: 391, 页码: 111-115
Wang, HT
;
Jia, CH
;
Xu, JK
;
Chen, YH
;
Chen, XW
;
Zhang, WF
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/04/02
Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Li CM
;
Jiao CM
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浏览/下载:66/4
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提交时间:2011/07/05
CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION
GALLIUM NITRIDE
STRESSES
LAYERS
HETEROSTRUCTURE
DEPOSITION
CONSTANTS
MECHANISM
SAPPHIRE
STRAIN
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
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浏览/下载:83/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Improvement of electroluminescent performance of n-ZnO/AlN/p-GaN light-emitting diodes by optimizing the AlN barrier layer
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93708
作者:
Zhang XW
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浏览/下载:47/3
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提交时间:2011/07/05
UV ELECTROLUMINESCENCE
THIN-FILMS
ZNO
Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112
作者:
Shi K
;
Jiao CM
;
Song HP
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浏览/下载:94/7
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提交时间:2011/07/05
Valence band offset
GaN/diamond heterojunction
XPS
Conduction band offset
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ALGAN/GAN HEMTS
DIAMOND
GAN
FILMS
Electrodepostied polyaniline films decorated with nano-islands: Characterization and application as anode buffer layers in solar cells
期刊论文
solar energy materials and solar cells, 2011, 卷号: 95, 期号: 2, 页码: 440-445
作者:
Liu K
;
Tan FR
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浏览/下载:90/5
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提交时间:2011/07/05
Polyaniline
Electrodeposition
Thin films
Buffer layers
Solar cells
PHOTOVOLTAIC CELLS
POLYMER
NANOWIRES
EFFICIENCY
Well-aligned Zn-doped tilted InN nanorods grown on r-plane sapphire by MOCVD
期刊论文
nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: article no.235603
作者:
Song HP
收藏
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浏览/下载:69/3
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SEMICONDUCTOR NANOWIRES
NITRIDE NANOTUBES
GAN
EMISSION
MECHANISM
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