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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [3]
发表日期
2010 [2]
2006 [4]
2004 [1]
学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495
Zhao J (Zhao Jie)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Liu C (Liu Chao)
;
Li YB (Li Yanbo)
收藏
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浏览/下载:148/33
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提交时间:2010/06/04
Reflection high-energy electron diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
Hydride Vapor Phase Epitaxy Growth of Semipolar, 10(1)over-bar(3)over-barGaN on Patterned m-Plane Sapphire
期刊论文
journal of the electrochemical society, 2010, 卷号: 157, 期号: 7, 页码: h721-h726
Wei TB (Wei T. B.)
;
Hu Q (Hu Q.)
;
Duan RF (Duan R. F.)
;
Wei XC (Wei X. C.)
;
Yang JK (Yang J. K.)
;
Wang JX (Wang J. X.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Wang GH (Wang G. H.)
;
Li JM (Li J. M.)
收藏
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浏览/下载:293/52
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提交时间:2010/06/18
atomic force microscopy
Preparation and AFM characterization of self-ordered porous alumina films on semi-insulated gaas substrate
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 337-340
Zhou HY
;
Qu SC
;
Wang ZG
;
Liang LY
;
Cheng BC
;
Liu JP
;
Peng WQ
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/04/11
anodic alumina films
Preparation and AFM characterization of self-ordered porous alumina films on semi-insulated gaas substrate
会议论文
11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005
Zhou HY
;
Qu SC
;
Wang ZG
;
Liang LY
;
Cheng BC
;
Liu JP
;
Peng WQ
收藏
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浏览/下载:132/26
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提交时间:2010/03/29
anodic alumina films
Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278
Sun GS (Sun G. S.)
;
Liu XF (Liu X. F.)
;
Gong QC (Gong Q. C.)
;
Wang L (Wang L.)
;
Zhao WS (Zhao W. S.)
;
Li JY (Li J. Y.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Li JM (Li J. M.)
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/04/11
4H-SiC
homoepitaxial layers
surface morphological defect
optical microscopy
SILICON-CARBIDE
DISLOCATIONS
FILMS
Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces
会议论文
11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Gong, QC (Gong, Q. C.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
收藏
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浏览/下载:167/18
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提交时间:2010/03/29
4H-SiC
Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces
会议论文
7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004
Sun, GS
;
Ning, J
;
Zhang, YX
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:208/60
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提交时间:2010/03/29
4H-SiC
LPCVD homoepitaxial growth
thermal oxidization
MOS structures
HOT-WALL CVD
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