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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
2003 [1]
2002 [3]
2001 [1]
1998 [1]
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学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Dielectric relaxation and giant dielectric constant of Nb-doped CaCu3Ti4O12 ceramics under dc bias voltage
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 3, 页码: 562-566
Liu P
;
He Y
;
Zhou JP
;
Mu CH
;
Zhang HW
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浏览/下载:156/21
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提交时间:2010/03/08
COPPER-TITANATE
GRAIN-BOUNDARY
BEHAVIOR
Polymerization of ionic liquid-based microemulsions: A versatile method for the synthesis of polymer electrolytes
期刊论文
macromolecules, 2008, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: 3389-3392
Yu, SM
;
Yan, F
;
Zhang, XW
;
You, JB
;
Wu, PY
;
Lu, JM
;
Xu, QF
;
Xia, XW
;
Ma, GL
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浏览/下载:65/1
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提交时间:2010/03/08
ROTATIONAL RELAXATION
BEHAVIOR
MICELLES
STYRENE
PHASE
COUMARIN-153
SURFACTANTS
SOLVATION
CATALYSIS
DYNAMICS
In0.25Ga0.75As growth on low-temperature thin buffer layers formed on GaAs (001) substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 126-130
作者:
Xu B
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/08/12
dislocation
interfaces
strain
molecular beam epitaxy
semiconductor IIIV materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SURFACE-MORPHOLOGY
TECHNOLOGY
GAAS(001)
BEHAVIOR
SI
The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
III-V semiconductors
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SINGLE-QUANTUM-WELL
LUMINESCENCE
GAAS
LOCALIZATION
BEHAVIOR
LAYER
Nanofabrication of grid-patterned substrate by holographic lithography
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 141-144
Huang CJ
;
Zhu XP
;
Li C
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Li DZ
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:119/4
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提交时间:2010/08/12
etching
nanostructures
substrates
ASSEMBLED GE ISLANDS
SI(001)
GROWTH
DOTS
Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
etching
metalorganic vapor-phase epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
FILMS
DISLOCATIONS
DENSITY
GROWTH
LAYERS
Changing the size and shape of Ge island by chemical etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 1-2, 页码: 17-21
Gao F
;
Huang CJ
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:175/52
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提交时间:2010/08/12
atomic force microscopy
etching
nanostructures
molecular beam epitaxy
semiconducting germanium
semiconducting silicon
QUANTUM DOTS
INAS
GROWTH
STRAIN
Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures
期刊论文
journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61
Wang ZM
;
Feng SL
;
Lu ZD
;
Zhao Q
;
Yang XP
;
Chen ZG
;
Xu ZY
;
Zheng HZ
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
annealing
InAs/GaAs
quantum dots
BOX ISLANDS
GAAS
INTERDIFFUSION
GAAS(100)
GROWTH
THRESHOLD
INGAAS
STRAIN
SCALE
OPTICAL-PROPERTIES
ELECTRICAL CHARACTERS OF OXYGEN DEFECTS IN SILICON SUBJECTED TO INTRINSIC GETTERING TREATMENT
期刊论文
journal of applied physics, 1991, 卷号: 70, 期号: 1, 页码: 511-513
LI JM
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/15
CZOCHRALSKI-GROWN SILICON
MICRODEFECTS
DISLOCATIONS
BEHAVIOR
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