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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Well-aligned Zn-doped tilted InN nanorods grown on r-plane sapphire by MOCVD 期刊论文 nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: article no.235603 作者:  Song HP 收藏  |  浏览/下载：69/3  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SEMICONDUCTOR NANOWIRES  NITRIDE NANOTUBES  GAN  EMISSION  MECHANISM   Al2O3 : Cr3+ nanotubes synthesized via homogenization precipitation followed by heat treatment 期刊论文 journal of physical chemistry b, 2006, 卷号: 110, 期号: 32, 页码: 15749-15754 Cheng BC (Cheng Baochang); Qu SC (Qu Shengchun); Zhou HY (Zhou Huiying); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/04/11 GALLIUM NITRIDE NANOTUBES  SINGLE-CRYSTALLINE  ALUMINA NANOTUBES  ALPHA-AL2O3 NANOWIRES  OXIDE NANOTUBES  ROUTE  FILMS  NANOSTRUCTURES  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE   Structure characteristics of InGaN quantum dots fabricated by passivation and low temperature method 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 19-25 Qu BZ; Chen Z; Lu DC; Han P; Liu XG; Wang XH; Wang D; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SIZE DISTRIBUTION  GROWTH  GAAS  DEPENDENCE  EMISSION  NUMBER   Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72-77 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  stretched exponential  time-resolved photolummescence  metalorganic vapor phase epitaxy  nitrides  InAlGaN  INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  GAN  DECAY  LUMINESCENCE  SAPPHIRE  DEVICES  SILICON   The structure and current-voltage characteristics of multi-sheet InGaN quantum dots grown by a new multi-step method 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 19-24 Chen Z; Lu DC; Han P; Liu XL; Wang XH; Li YF; Yuan HR; Lu Y; Bing LD; Zhu QS; Wang ZG; Wang XF; Yan L 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  SELF-ORGANIZED GROWTH  EPITAXIAL-GROWTH  GAAS  GAN  PHOTOLUMINESCENCE  SURFACTANT  ALGAAS  WIRE   A new method to fabricate InGaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 188-194 Chen Z; Lu DH; Yuan HR; Han P; Liu XL; Li YF; Wang XH; Lu Y; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：101/11  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  GAN BUFFER LAYER  EPITAXIAL-GROWTH  PHASE EPITAXY  SURFACES  TEMPERATURE  DEPENDENCE  MODE  WIRE