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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/11/15 Czochralski method  growth from melt  semiconductor silicon  argon gas flow  computer simulation  oxygen content  FURNACE PRESSURE   Structural evaluation of polycrystalline silicon thin films by hot-wire-assisted PECVD 会议论文 1st international conference on cat-cvd (hot wire cvd) process, kanazawa, japan, nov 14-17, 2000 Feng Y; Zhu M; Liu F; Liu J; Han H; Han Y 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/15 poly-Si  structure  hot-wire  plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MICROCRYSTALLINE SILICON  HYDROGEN   Thermodynamic analysis of GaSb-GaCl3 vapor phase epitaxy 会议论文 1st international symposium on microgravity research and applications in physical sciences and biotechnology, sorrento, italy, sep 10-15, 2000 Lu DC; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/10/29 TRANSPORT   Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials 会议论文 1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999 Lin YW; Pan Z; Li LH; Zhou ZQ; Wang H; Zhang W 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 GaNAs  DC active N-2 plasma  molecular beam epitaxy  nitrogen content  Fourier transform infrared spectroscopy of intensity  BAND-GAP ENERGY  GAAS1-XNX  NITROGEN