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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
1999 [1]
学科主题
半导体化学 [1]
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学科主题:半导体化学
内容类型:期刊论文
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The growth of SiC on Si substrates with C2H4 and Si2H6
期刊论文
applied surface science, 1999, 卷号: 148, 期号: 3-4, 页码: 189-195
Wang YS
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang FF
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提交时间:2010/08/12
Si
SiC
epitaxial growth
RHEED
Raman spectrum
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HETEROEPITAXIAL GROWTH
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SILICON
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