QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Design of quantum cascade microcavity lasers based on Q factor versus etching depth 期刊论文 journal of the optical society of america b-optical physics, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 1484-1491 作者:  Yang YD 收藏  |  浏览/下载：87/10  |  提交时间：2010/03/08 WHISPERING-GALLERY MODES  DIFFERENCE TIME-DOMAIN  MU-M  NUMERICAL-ANALYSIS  SQUARE RESONATORS  MICRODISK LASERS  FDTD TECHNIQUE  MICROLASERS   Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD 期刊论文 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420 作者:  Li Y;  Chen P;  Jiang DS;  Wang H;  Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：50/4  |  提交时间：2010/03/08 InN  dislocation  carrier origination  localization   360-nm Photoluminescence from Silicon Oxide Films Embedded with Silicon Nanocrystals 期刊论文 semiconductor photonics and technology, 2006, 卷号: 12, 期号: 2, 页码: 90-94 Yang Linlin; Guo Hengqun; Zeng Youhua; Wang Qiming 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 Novel room temperature photoluminescence of Ge/Si islands in multilayer structure grown on silicon-on-insulator substrate 期刊论文 thin solid films, 2004, 卷号: 467, 期号: 1-2, 页码: 197-200 Li CB; Cheng BW; Mao RW; Zuo YH; Shi WH; Huang CJ; Luo LP; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：202/29  |  提交时间：2010/03/09 Ge islands   Indium mole fraction effect on the structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2004, 卷号: 37, 期号: 15, 页码: 2060-2063 Liu, JP; Jin, RQ; Zhang, JC; Wang, JF; Wu, M; Zhu, JJ; Zhao, DG; Wang, YT; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：69/23  |  提交时间：2010/03/09 LIGHT-EMITTING-DIODES   Cavity-enhanced photoluminescence of SiGe/Si multiquantum wells grown on silicon-on-insulator substrate 期刊论文 journal of applied physics, 2004, 卷号: 95, 期号: 10, 页码: 5914-5916 Li CB; Huang CJ; Cheng BW; Zuo YH; Mao RW; Luo LP; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：170/57  |  提交时间：2010/03/09 QUANTUM-WELLS   Photoluminescence studies of type-II self-assembled InAlAs/AlGaAs QDs grown on (311)A GaAs substrate 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 53-56 Chen Y; Li GH; Zhu ZM; Han HX; Wang ZP; Zhou W; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 InAlAs/AlGaAs  quantum dot  pressure  photoluminescence  QUANTUM DOTS  PRESSURE  SUPERLATTICES  LINEWIDTH  INSB  GASB   Electroluminescence and photoluminescence of Si/SiGe self-assembly quantum dot structures 会议论文 conference on integrated optoelectronics ii, beijing, peoples r china, sep 18-19, 1998 Si JJ; Yang QQ; Wang HJ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/10/29 Si/SiGe  quantum dot  electroluminescence  photoluminescence