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科研机构
半导体研究所 [42]
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期刊论文 [34]
会议论文 [8]
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2008 [5]
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学科主题
光电子学 [42]
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学科主题:光电子学
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Growth of high quality Ge epitaxial films on Si substrate by low temperature buffer technique
期刊论文
guangdianzi jiguang/journal of optoelectronics laser, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
Zhou, Zhi-Wen
;
He, Jing-Kai
;
Li, Cheng
;
Yu, Jin-Zhong
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2012/06/13
Atomic force microscopy
Atomic spectroscopy
Chemical vapor deposition
Diffraction
Epitaxial growth
Germanium
Raman spectroscopy
Semiconducting silicon compounds
Substrates
Surface morphology
Ultrahigh vacuum
X ray diffraction
High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013
Wu CM
;
Zhang BP
;
Shang JZ
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:66/3
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MIRRORS
GAN
WAVELENGTHS
Efficient 1.53 mu m emission and energy transfer in Si/Er-Si-O multilayer structure
期刊论文
materials research bulletin, 2011, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 262-265
作者:
Xue CL
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浏览/下载:64/4
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提交时间:2011/07/05
Multilayers
Inorganic compounds
Sputtering
Optical properties
DOPED SI/SIO2 SUPERLATTICES
ERBIUM SILICATE
ER3+
LUMINESCENCE
FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:74/4
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提交时间:2011/07/05
Thermal stability
Molecular beam epitaxy
Germanium tin alloys
Germanium
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LOW-TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
Structural and electronic properties of Si nanocrystals embedded in amorphous SiC matrix
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 9, 页码: 3963-3966
Song C
;
Rui YJ
;
Wang QB
;
Xu J
;
Li W
;
Chen KJ
;
Zuo YH
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:55/6
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提交时间:2011/07/05
Silicon carbide
Thin films
Crystal structure
Electronic properties
THIN-FILMS
SILICON
PHOTOLUMINESCENCE
SUPERLATTICE
ALLOYS
Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141
作者:
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:58/1
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提交时间:2011/07/05
BAND-GAP
INDIUM NITRIDE
TRANSPORT
EMISSION
Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G
会议论文
6th international conference on thin film physics and applications, shanghai, peoples r china, sep 25-28, 2007
作者:
Chen P
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/03/09
pockels effect
The effect of growth temperature on structural quality of GaN/AlN quantum wells by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: art. no. 105106
Ma, ZF
;
Zhao, DG
;
Wang, YT
;
Jiang, DS
;
Zhang, SM
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Sun, BJ
;
Yang, H
;
Liang, JW
收藏
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浏览/下载:52/3
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提交时间:2010/03/08
INTERSUBBAND ABSORPTION
MU-M
ALGAN
GAN
INTERLAYERS
MOVPE
ALN
AlGaN layers grown on AlGaN buffer layer and GaN buffer layer using strain-relief interlayers - art. no. 68410S
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Liu, NX
;
Yan, JC
;
Liu, Z
;
Ma, P
;
Wang, JX
;
Li, JM
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/03/09
AlGaN
HT-AlGaN buffer
HT-interlayers
ultraviolet (UV) LED
Growth of SiGe by D-UHV/CVD at Low Temperature
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 1889-1892
Zeng Yugang
;
Han Genquan
;
Yu Jinzhong
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提交时间:2010/11/23
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