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半导体研究所 [24]
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期刊论文 [20]
会议论文 [4]
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2010 [2]
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2007 [2]
2006 [4]
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学科主题
光电子学 [24]
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学科主题:光电子学
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Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
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浏览/下载:72/4
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提交时间:2011/07/05
Thermal stability
Molecular beam epitaxy
Germanium tin alloys
Germanium
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LOW-TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
Epitaxial growth of Ge0.975Sn0.025 alloy films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.28101
Su SJ
;
Wang W
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Bai AQ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:55/3
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提交时间:2011/07/05
GeSn
Ge
molecular beam epitaxy
epitaxial growth
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
Quantitative strain characterization of SiGe heterostructures by high-resolution transmission electron microscopy
期刊论文
physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 16, 页码: 3433-3435
Zhao CW (Zhao C. W.)
;
Xing YM (Xing Y. M.)
;
Yu JZ (Yu J. Z.)
;
Han GQ (Han G. Q.)
收藏
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浏览/下载:100/3
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提交时间:2010/09/07
Si/Ge heterostructures
Strain
High-resolution Transmission electron
microscopy
Normal incidence p-i-n Ge heterojunction photodiodes on Si substrate grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
期刊论文
optics communications, 2010, 卷号: 283, 期号: 18, 页码: 3404-3407
Zhou ZW (Zhou Zhiwen)
;
He JK (He Jingkai)
;
Wang RC (Wang Ruichun)
;
Li C (Li Cheng)
;
Yu JZ (Yu Jinzhong)
收藏
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浏览/下载:87/0
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提交时间:2010/08/17
Germanium
Hererojunction
Photodiode
Tensile strain
Substantial photo-response of InGaN p-i-n homojunction solar cells
期刊论文
semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055009
Zeng SW
;
Zhang BP
;
Sun JW
;
Cai JF
;
Chen C
;
Yu JZ
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浏览/下载:58/7
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提交时间:2010/03/08
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INN
ABSORPTION
ALLOYS
ENERGY
Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135403
Wang, H
;
Jiang, DS
;
Wang, LL
;
Sun, X
;
Liu, WB
;
Zhao, DG
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Wang, YT
;
Zhang, SM
;
Yang, H
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浏览/下载:53/1
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN FILMS
DISLOCATION SCATTERING
LAYER THICKNESS
INDIUM NITRIDE
BAND-GAP
VACANCIES
Thermal test and analysis of concentrator solar cells - art. no. 684117
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Cui M
;
Chen NF
;
Wu JL
;
Liu L
;
Wang P
;
Wang YS
;
Bai YM
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/09
temperature
Effects of rapid thermal annealing on the emission properties of highly uniform self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 mu m
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 11, 页码: art.no.111912
Yang T (Yang, Tao)
;
Tatebayashi J (Tatebayashi, Jun)
;
Aoki K (Aoki, Kanna)
;
Nishioka M (Nishioka, Masao)
;
Arakawa Y (Arakawa, Yasuhiko)
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Photoluminescence study of AlGaInP/GaInP quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 309, 期号: 2, 页码: 140-144
Lin, T
;
Zheng, K
;
Wang, CL
;
Ma, XY
收藏
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浏览/下载:38/3
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提交时间:2010/03/08
diffusion
metalorganic vapor phase epitaxy
semiconducting III-V materials
laser diodes
Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:84/0
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提交时间:2010/04/11
nitrides
multiple quantum wells
cracks
dislocations
vacancies x-ray diffraction
X-RAY-DIFFRACTION
EDGE DISLOCATIONS
GAN
FILMS
SUPERLATTICES
RELAXATION
STRAIN
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