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科研机构
半导体研究所 [10]
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期刊论文 [9]
会议论文 [1]
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2009 [1]
2008 [3]
2007 [1]
2006 [1]
2003 [1]
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学科主题
光电子学 [10]
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学科主题:光电子学
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80
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Hybrid point/ring-defect photonic crystal VCSEL with high spectral purity and high output power
期刊论文
laser physics, 2011, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 379-382
Liu AJ
;
Chen W
;
Qu HW
;
Zhou WJ
;
Zheng WH
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浏览/下载:47/3
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提交时间:2011/07/06
SURFACE-EMITTING LASERS
SEMICONDUCTOR-LASERS
ARRAYS
EMISSION
Nature of interfacial defects and their roles in strain relaxation at highly lattice mismatched 3C-SiC/Si (001) interface
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 7, 页码: art.no.073522
Wen C
;
Wang YM
;
Wan W
;
L, FH
;
Liang JW
;
Zou J
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浏览/下载:141/41
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提交时间:2010/03/08
RESOLUTION ELECTRON-MICROSCOPY
Cathodoluminescence study of GaN-based film structures
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2008, 卷号: 19, 页码: s58-s63 suppl. 1
作者:
Yang H
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Zhang SM
;
Yang H
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/03/08
Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135403
Wang, H
;
Jiang, DS
;
Wang, LL
;
Sun, X
;
Liu, WB
;
Zhao, DG
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Wang, YT
;
Zhang, SM
;
Yang, H
收藏
  |  
浏览/下载:53/1
  |  
提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN FILMS
DISLOCATION SCATTERING
LAYER THICKNESS
INDIUM NITRIDE
BAND-GAP
VACANCIES
Defect Cluster-Induced X-Ray Diffuse Scattering in GaN Films Grown by MOCVD
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1242-1245
作者:
Zhao Degang
;
Wang Yutian
;
Jiang Desheng
;
Duan Ruifei
;
Ma Zhifang
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/23
Defects around self-organized InAs quantum dots measured by slow positron beam
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 9, 页码: art.no.093510
作者:
Jin P
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/03/29
HIGH-POWER
Influence of indium-tin-oxide thin-film quality on reverse leakage current of indium-tin-oxide/n-GaN Schottky contacts
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: art.no.033503
Wang RX (Wang R. X.)
;
Xu SJ (Xu S. J.)
;
Djurisic AB (Djurisic A. B.)
;
Beling CD (Beling C. D.)
;
Cheung CK (Cheung C. K.)
;
Cheung CH (Cheung C. H.)
;
Fung S (Fung S.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Tao XM (Tao X. M.)
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
N-TYPE GAN
ELECTRICAL-PROPERTIES
BIAS LEAKAGE
DIODES
OXYGEN
Modulation of Photonic Bandgap and Localized States by Dielectric Constant Contrast and Filling Factor in Photonic Crystals
期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 12, 页码: 1233-1238
作者:
Yu Lijuan
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/23
Study of self-assembled InAs quantum dots grown on low temperature GaAs epi-layer
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 177-180
Wang XD
;
Wang H
;
Wang HL
;
Niu ZC
;
Feng SL
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
InAs quantum dots
low temperature GaAs
As precipitates
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
DEPENDENCE
The SPER and characteristics of Si1-yCy alloys
会议论文
conference on integrated optoelectronics ii, beijing, peoples r china, sep 18-19, 1998
Yu Z
;
Yu JZ
;
Cheng BW
;
Lei ZL
;
Li DZ
;
Wang QM
;
Liang JW
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/10/29
Si1-yCy alloys
ion implantation
solid phase epitaxy recrystallization
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