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半导体研究所 [33]
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学科主题
光电子学 [33]
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学科主题:光电子学
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Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:58/1
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提交时间:2011/07/05
BAND-GAP
INDIUM NITRIDE
TRANSPORT
EMISSION
Study of GaN epilayers growth on freestanding Si cantilevers
期刊论文
solid-state electronics, 2010, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 4-7
Chen J
;
Wang X
;
Wu AM
;
Zhang B
;
Wang X
;
Wu YX
;
Zhu JJ
;
Yang H
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/04/04
FABRICATION
SILICON
MEMS
NITRIDE
Optical properties of light-hole excitons in GaN epilayers
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 11, 页码: article no.116103
Zhang F
;
Xu SJ
;
Ning JQ
;
Zheng CC
;
Zhao DG
;
Yang H
;
Che CM
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浏览/下载:46/3
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提交时间:2011/07/05
TRANSITIONS
ABSORPTION
Strong visible and infrared photoluminescence from Er-implanted silicon nitride films
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135101
作者:
Chen P
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浏览/下载:47/3
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提交时间:2010/03/08
1.54 MU-M
Polarization dependence of absorption in strongly vertically coupled InAs/GaAs quantum dots for two-color far-infrared photodetector
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 633-636
作者:
Xu B
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浏览/下载:34/4
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提交时间:2010/03/08
quantum dot
Effect of annealing on photoluminescence properties of neon implanted GaN
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: art. no. 025107
作者:
Yang H
;
Lu GJ
;
Zhang SM
;
Zhao DG
;
Yang H
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浏览/下载:66/1
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提交时间:2010/03/08
LUMINESCENCE
Plasma induced damage in GaN-based light emitting diodes - art. no. 68410X
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Li, Y
;
Yi, XY
;
Wang, XD
;
Guo, JX
;
Wang, LC
;
Wang, GH
;
Yang, FH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/03/09
GaN
LED
plasma
damage
etch
ICP
PECVD
Photoluminescence study of AlGaInP/GaInP quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 309, 期号: 2, 页码: 140-144
Lin, T
;
Zheng, K
;
Wang, CL
;
Ma, XY
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浏览/下载:38/3
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提交时间:2010/03/08
diffusion
metalorganic vapor phase epitaxy
semiconducting III-V materials
laser diodes
Effect of oxidation on the optical and surface properties of AlGaN
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 24, 页码: 8706-8709
Wang XL (Wang X. L.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Li XY (Li X. Y.)
;
Gong HM (Gong H. M.)
;
Yang H (Yang H.)
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/04/11
oxidation
AlGaN
surface morphology
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
HIGH-POWER
GAN
OXIDE
Persistent Photoconductivity in n-type GaN
期刊论文
semiconductor photonics and technology, 2006, 卷号: 12, 期号: 2, 页码: 77-80
作者:
Zhao Degang
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提交时间:2010/11/23
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