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科研机构
半导体研究所 [12]
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期刊论文 [11]
会议论文 [1]
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学科主题
光电子学 [12]
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共12条,第1-10条
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学科主题:光电子学
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Study of N-polar GaN growth with a high resistivity by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
vacuum, 2015, 卷号: 119, 期号: 2015, 页码: 63e67
Junyan Jiang
;
Yuantao Zhang
;
Fan Yang
;
Zhen Huang
;
Long Yan
;
Pengchong Li
;
Chen Chi
;
Degang Zhao
;
Baolin Zhang
;
Guotong Du
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2016/03/23
Indium Compositional Homogeneity in In0.17Al0.83N Epilayers Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
applied physics express, 2012, 卷号: 5, 期号: 10, 页码: 101002
Wang JM (Wang, Jiaming)
;
Xu FJ (Xu, Fujun)
;
Huang CC (Huang, Chengcheng)
;
Xu ZY (Xu, Zhengyu)
;
Zhang X (Zhang, Xia)
;
Wang Y (Wang, Yan)
;
Ge WK (Ge, Weikun)
;
Wang XQ (Wang, Xinqiang)
;
Yang ZJ (Yang, Zhijian)
;
Shen B (Shen, Bo)
;
Li W (Li, Wei)
;
Wang WY (Wang, Weiying)
;
Jin P (Jin, Peng)
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2013/03/27
Improvement of efficiency droop of GaN-based light-emitting devices by a rear nitride reflector
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 289-292
Cai LE
;
Zhang BP
;
Zhang JY
;
Wu CM
;
Jiang F
;
Hu XL
;
Chen M
;
Wang QM
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浏览/下载:43/1
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提交时间:2011/07/05
DIODES
Stable multiplication gain in GaN p-i-n avalanche photodiodes with large device area
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015108
作者:
Wang H
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
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浏览/下载:169/40
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提交时间:2010/03/08
SURFACE-MORPHOLOGY
DETECTORS
GROWTH
Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:
Li Y
;
Chen P
;
Jiang DS
;
Wang H
;
Wang ZG
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浏览/下载:49/4
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提交时间:2010/03/08
InN
dislocation
carrier origination
localization
Substantial photo-response of InGaN p-i-n homojunction solar cells
期刊论文
semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055009
Zeng SW
;
Zhang BP
;
Sun JW
;
Cai JF
;
Chen C
;
Yu JZ
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浏览/下载:58/7
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提交时间:2010/03/08
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INN
ABSORPTION
ALLOYS
ENERGY
Interaction between the intrinsic second- and third-order optical fields in an Al0.53Ga0.47N/GaN heterostructure
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 16, 页码: art. no. 161112
作者:
Chen P
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浏览/下载:47/1
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提交时间:2010/03/08
MACH-ZEHNDER INTERFEROMETER
Characterization of AlGaN on GaN template grown by MOCVD - art. no. 68410K
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Yan, JC
;
Wang, JX
;
Liu, NX
;
Liu, Z
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/03/09
AlGaN
GaN template
A1N interlayer
MOCVD
crack
interference fringes
Effects of rapid thermal annealing on the emission properties of highly uniform self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 mu m
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 11, 页码: art.no.111912
Yang T (Yang, Tao)
;
Tatebayashi J (Tatebayashi, Jun)
;
Aoki K (Aoki, Kanna)
;
Nishioka M (Nishioka, Masao)
;
Arakawa Y (Arakawa, Yasuhiko)
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
A 1.5 mu m n-type InGaAsP/InGaAsP modulation-doped multiple quantum well DFB laser by MOCVD
期刊论文
semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 306-310
Zhang RY
;
Wang W
;
Zhou F
;
Wang BJ
;
Wang LF
;
Bian J
;
Zhao LJ
;
Zhu HL
;
Jian SS
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/04/11
LINEWIDTH ENHANCEMENT FACTOR
THRESHOLD CURRENT-DENSITY
DIFFERENTIAL GAIN
MQW LASERS
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