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半导体研究所 [109]
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光电子学 [109]
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学科主题:光电子学
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Growth parametric study of N-polar InGaN films by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
superlattices and microstructures, 2016, 卷号: 91, 页码: 259-268
Fan Yang
;
Yuan-tao Zhang
;
Xu Han
;
Peng-chong Li
;
Jun-yan Jiang
;
Zhen Huang
;
Jing-zhi Yin
;
De-gang Zhao
;
Bao-lin Zhang
;
Guo-tong Du
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2017/03/10
Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H–SiC
期刊论文
Chinese Physics B, 2016, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 057703
Feng Liang
;
Ping Chen
;
De-Gang Zhao
;
De-Sheng Jiang
;
Zhi-Juan Zhao
;
Zong-Shun Liu
;
Jian-Jun Zhu
;
Jing Yang
;
Wei Liu
;
Xiao-Guang He
;
Xiao-Jing Li
;
Xiang Li
;
Shuang-Tao Liu
;
Hui Yang
;
Li-Qun Zhang
;
Jian-Ping Liu
;
Yuan-Tao Zhang
;
Guo-Tong Du
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2017/03/10
Unintentionally doped semi-insulating GaN with a low dislocation density grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2014, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 051207
He, XG
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Chen, P
;
Liu, ZS
;
Le, LC
;
Yang, J
;
Li, XJ
;
Zhang, SM
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2015/03/25
Effect of In incorporation parameters on the electroluminescence of blue-violet InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2012, 卷号: 540, 页码: 46-48
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Le LC (Le, L. C.)
;
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Li L (Li, L.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Jia QJ (Jia, Q. J.)
;
Yang H (Yang, Hui)
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/03/27
Contribution of GaN template to the unexpected Ga atoms incorporated into AlInN epilayers grown under an indium-very-rich condition by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
期刊论文
journal of crystal growth, 2012, 卷号: 348, 期号: 1, 页码: 25-30
Zhu, JJ
;
Fan, YM
;
Zhang, H
;
Lu, GJ
;
Wang, H
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Chen, GF
;
Zhang, BS
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/02/27
High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013
Wu CM
;
Zhang BP
;
Shang JZ
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:64/3
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MIRRORS
GAN
WAVELENGTHS
Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 068103
作者:
Su SJ
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浏览/下载:93/5
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提交时间:2011/07/07
GeSn alloys
strained
strain-relaxed
molecular beam epitaxy
Relationship between the growth rate and Al incorporation of AlGaN by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 3, 页码: 748-750
作者:
Yang H
;
Jiang DS
;
Le LC
;
Zhang SM
;
Wu LL
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浏览/下载:46/3
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提交时间:2011/07/05
Nitride materials
Crystal growth
Composition fluctuations
X-ray diffraction
LAYER
Strained and strain-relaxed epitaxial Ge(1-x)Sn(x) alloys on Si(100) substrates
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 68103
Wang, W
;
Su, SJ
;
Zheng, J
;
Zhang, GZ
;
Zuo, YH
;
Cheng, BW
;
Wang, QM
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/02/06
GeSn alloys
strained
strain-relaxed
molecular beam epitaxy
Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:71/4
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提交时间:2011/07/05
Thermal stability
Molecular beam epitaxy
Germanium tin alloys
Germanium
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LOW-TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
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