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半导体研究所 [20]
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光电子学 [20]
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学科主题:光电子学
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Thickness-dependent Raman spectra, transport properties and infrared photoresponse of few-layer black phosphorus
期刊论文
journal of materials chemistry c, 2015, 期号: 3, 页码: 10974-10980
Sijie Liu
;
Nengjie Huo
;
Sheng Gan
;
Yan Li
;
Zhongming Wei
;
Beiju Huang
;
Jian Liu
;
Jingbo Li
;
Hongda Chen
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2016/03/23
Dielectric layer-dependent surface plasmon effect of metallic nanoparticles on silicon substrate
期刊论文
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 25202
Xu, R
;
Wang, XD
;
Liu, W
;
Xu, XN
;
Li, YQ
;
Ji, A
;
Yang, FH
;
Li, JM
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/03/17
Theoretical investigation on the absorption enhancement of the crystalline silicon solar cells by pyramid texture coated with SiNx:H layer
期刊论文
solar energy, 2011, 卷号: 85, 期号: 3, 页码: 530-537
Zhao L
;
Zuo YH
;
Zhou CL
;
Li HL
;
Diao HW
;
Wang WJ
收藏
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浏览/下载:57/9
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提交时间:2011/07/05
Crystalline silicon solar cell
Absorption enhancement
Pyramid texture
SiNx:H layer
COUPLED-WAVE ANALYSIS
HIGH-EFFICIENCY
LIGHT
FABRICATION
GRATINGS
An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464
作者:
Wang YT
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Jiang DS
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浏览/下载:146/11
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提交时间:2010/04/04
Nitride materials
Crystal growth
X-ray diffraction
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
LIGHT-EMITTING-DIODES
PIEZOELECTRIC FIELDS
LASER-DIODES
DEPENDENCE
RECOMBINATION
POLARIZATION
DYNAMICS
GROWTH
MOCVD
Effects of GaN Capping on the Structural and the Optical Properties of InN Nanostructures Grown by Using MOCVD
期刊论文
journal of the korean physical society, 2010, 卷号: 57, 期号: 1, 页码: 128-132
Sun YP (Sun Yuanping)
;
Sun Y (Sun Yuanping)
;
Cho YH (Cho Yong-Hoon)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Wang LL (Wang Lili)
;
Zhang SM (Zhang Shuming)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:513/2
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提交时间:2010/08/17
InN
Burstein-Moss effect
Quantum confinement effect
Activation energy
FUNDAMENTAL-BAND GAP
WELL STRUCTURES
EMISSION
SINGLE
Growth behavior of AlInGaN films
会议论文
4th asian conference on crystal growth and crystal technology, sendai, japan, may 21-24, 2008
Shang JZ
;
Zhang BP
;
Mao MH
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Fang ZL
;
Liu BL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Kusakabe K
;
Ohkawa K
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/09
Scanning electron microscope
Ultrafast carrier dynamics in undoped and p-doped InAs/GaAs quantum dots characterized by pump-probe reflection measurements
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 8, 页码: art. no. 083121
Liu, HY
;
Meng, ZM
;
Dai, QF
;
Wu, LJ
;
Guo, Q
;
Hu, W
;
Liu, SH
;
Lan, S
;
Yang, T
收藏
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浏览/下载:52/3
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提交时间:2010/03/08
ENERGY RELAXATION
ELECTRON RELAXATION
CAPTURE
PHONON
INAS
GAAS
TEMPERATURE
DEPENDENCE
DENSITY
TIME
Depth dependence of structural quality in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 2, 页码: 516-519
作者:
Wang H
;
Wang YT
;
Wang LL
;
Yang H
;
Wang H
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/03/29
X-ray diffraction
Optical analysis of dislocation-related physical processes in GaN-based epilayers
期刊论文
physica status solidi b-basic solid state physics, 2007, 卷号: 244, 期号: 8, 页码: 2878-2891
Jiang, DS (Jiang, De-Sheng)
;
Zhao, DG (Zhao, De-Gang)
;
Yang, H (Yang, Hui)
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Influence of indium-tin-oxide thin-film quality on reverse leakage current of indium-tin-oxide/n-GaN Schottky contacts
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: art.no.033503
Wang RX (Wang R. X.)
;
Xu SJ (Xu S. J.)
;
Djurisic AB (Djurisic A. B.)
;
Beling CD (Beling C. D.)
;
Cheung CK (Cheung C. K.)
;
Cheung CH (Cheung C. H.)
;
Fung S (Fung S.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Tao XM (Tao X. M.)
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
N-TYPE GAN
ELECTRICAL-PROPERTIES
BIAS LEAKAGE
DIODES
OXYGEN
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