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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characteristic study of maximum modal gain of p-doped 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers 期刊论文 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1896-1900 作者:  Ma WQ;  Yang T;  Cao YL 收藏  |  浏览/下载：241/62  |  提交时间：2010/03/08 maximum modal gain  p-doped  InAs/GaAs quantum dot laser   Inductively coupled plasma etching in fabrication of 2D InP-based photonic crystals 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 2009, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 1093-1096 Wang HL; Xing MX; Ren G; Zheng WH 收藏  |  浏览/下载：122/0  |  提交时间：2010/03/08 III-V semiconductors  indium compounds  photonic crystals  plasma materials processing  semiconductor lasers  sputter etching   Inductively coupled plasma etching of two-dimensional InP/InGaAsP-based photonic crystal 期刊论文 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 977-981 Ma XT (Ma Xiao-Tao); Zheng WH (Zheng Wan-Hua); Ren G (Ren Gang); Fan ZC (Fan Zhong-Chao); Chen CH (Chen Chang-Hui) 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/03/29 two-dimensional photonic crystal   The effect of a combined InAlAs and GaAs strained buffer layer on the structure and optical property of InAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 276, 期号: 1-2, 页码: 77-82 作者:  Jin P;  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/03/17 optical properties   Optical analysis of AlGaInP laser diodes with real refractive index guided self-aligned structure 会议论文 asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2003), wuhan, peoples r china, nov 04-06, 2003 Xu Y; Zhu XP; Ye XJ; Kang XN; Cao Q; Guo L; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：17/1  |  提交时间：2010/10/29 finite-difference methods  AlGaInP laser diodes  RISA  OPERATION  LAYER  NM