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半导体研究所 [13]
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学科主题:光电子学
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基于溅射AlN模板的深紫外LED制备技术的研究
学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
赵璐
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2018/05/24
溅射aln+algan基深紫外led+大规模生产+低成本
AlGaN基深紫外激光器材料的MOCVD生长研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
陈翔
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2017/06/05
AlN
MOCVD
纳米图形化侧向外延
AlGaN基深紫外激光器
光泵浦激射
纳米压印光刻技术
AlGaN纳米柱
AlGaN 基紫外LED 高效光提取关键技术研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
郭亚楠
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2017/06/05
AlGaN 基紫外 LED
光提取效率
数值模拟
侧壁增强光反射
激光隐形切割
AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
田迎冬
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2016/06/01
AlN
AlGaN 基深紫外 LED
AlGaN 基紫外 Laser
AlN 纳米柱
半极性面纳米锥
Formation and characteristics of AlGaN-based three-dimensional hexagonal nanopyramid semi-polar multiple quantum wells
期刊论文
nanoscale, 2016, 卷号: 8, 期号: 21, 页码: 11012–11018
Yingdong Tian
;
Jianchang Yan
;
Yun Zhang
;
Yonghui Zhang
;
Xiang Chen
;
Yanan Guo
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2016/06/01
246nm p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器的研制
期刊论文
红外与激光工程, 2011, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 32-35
作者:
陈良惠
;
赵德刚
;
颜廷静
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/08/16
器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响
期刊论文
物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8903-8909
作者:
江德生
;
朱建军
;
张书明
;
邓懿
;
吴亮亮
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2011/08/16
穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响
期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957
作者:
王玉田
;
江德生
;
赵德刚
;
朱建军
;
张书明
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀对AIGaN的损伤研究
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2008, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 420-423
作者:
赵德刚
;
陈亮
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/11/23
AlGaN/GaN异质结紫外探测器
期刊论文
红外与激光工程, 2007, 卷号: 36, 期号: 6, 页码: 917-919
作者:
陈亮
;
赵德刚
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
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