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离子束外延生长半导体性锰硅化合物 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 1429
作者:  杨少延
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高精度双晶衍射(HRDCD)方法检测InGaAs/GaAs超薄应变层量子阱结构参数 期刊论文
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 170
作者:  王玉田
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