离子束外延生长半导体性锰硅化合物

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	离子束外延生长半导体性锰硅化合物
	杨少延
刊名	半导体学报
	2001
卷号	22 期号:11 页码:1429
中文摘要	利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物，Mn_(27)Si_(47)和Mn_(15)Si_(26)。俄歇电子谱谐深度组分测量结果表明，在单晶Si的表面淀积了一薄层厚度约为37.5nm的Mn，另一部分Mn离子成功注入进Si基底里，注入深度为618nm。在840℃条件下在流动N_2气氛中对生长样品进行退火，X射线衍射结果表明退火后Mn_(27)Si_(47)和Mn_(15)Si_(26)结晶更好。
英文摘要	利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物，Mn_(27)Si_(47)和Mn_(15)Si_(26)。俄歇电子谱谐深度组分测量结果表明，在单晶Si的表面淀积了一薄层厚度约为37.5nm的Mn，另一部分Mn离子成功注入进Si基底里，注入深度为618nm。在840℃条件下在流动N_2气氛中对生长样品进行退火，X射线衍射结果表明退火后Mn_(27)Si_(47)和Mn_(15)Si_(26)结晶更好。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:19导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5356.pdf: 319491 bytes, checksum: 93b3e6372764c27d031b582d376e2226 (MD5) Previous issue date: 2001; 国家973计划,国家攀登计划; 中科院半导体所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家973计划,国家攀登计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18617]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	杨少延. 离子束外延生长半导体性锰硅化合物[J]. 半导体学报,2001,22(11):1429.
APA	杨少延.(2001).离子束外延生长半导体性锰硅化合物.半导体学报,22(11),1429.
MLA	杨少延."离子束外延生长半导体性锰硅化合物".半导体学报 22.11(2001):1429.