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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The substantial dislocation reduction by preferentially passivating etched defect pits in gan epitaxial growth 期刊论文 Applied physics express, 2019, 卷号: 12, 期号: 3 作者:  Hu,Wei;  Die,Junhui;  Wang,Caiwei;  Yan,Shen;  Hu,Xiaotao 收藏  |  浏览/下载：145/0  |  提交时间：2019/05/09 Gallium nitride  Defect preferential passivation  In situ sinx  Dislocation reduction  Prevention effect