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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A novel approach of preparing zinc adipate as β-nucleating agent for polypropylene engineering 期刊论文 Journal of Materials Research, 2019, 卷号: 34, 期号: 21, 页码: 3654-3665 作者:  Peng, Wenli;  Liu, Wenxia;  Zhang, Wenxue;  Li, Ke;  Liu, Xin 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/11/14 Composite materials  Crystallization kinetics  II-VI semiconductors  Impact strength  Isotherms  Zinc oxide  Adipates  Beta crystals  compound  High-content  Nonisothermal crystallization kinetics  Nucleating agents  Optimum ratio  Zinc hydroxide   Gate-Tunable and Programmable n-InGaAs/Black Phosphorus Heterojunction Diodes 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 26, 页码: 23382-23391 作者:  Lee, Youngsu;  Um, Doo-Seung;  Lim, Seongdong;  Lee, Hochan;  Kim, Minsoo P. 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/11/15 heterojunction  multifunctional devices  black phosphorus  III-V compound semiconductor  nanomembrane   Structural Determination and Nonlinear Optical Properties of New 1T '''-Type MoS2 Compound 期刊论文 JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2019, 卷号: 141, 期号: 2, 页码: 790 作者:  Fang, Yuqiang;  Hu, Xiaozong;  Zhao, Wei;  Pan, Jie;  Wang, Dong 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2019/12/31 Structural Determination and Nonlinear Optical Properties of New 1T '''-Type MoS2 Compound 期刊论文 JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2019, 卷号: 141, 期号: 2, 页码: 790 作者:  Fang, Yuqiang;  Hu, Xiaozong;  Zhao, Wei;  Pan, Jie;  Wang, Dong 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2019/12/26 Sublimation growth and property characterization of p-type 4H-SiC by Al-B co-doping technique 期刊论文 SCRIPTA MATERIALIA, 2019, 卷号: 167, 页码: 76-80 作者:  Xie, Xuejian;  Sun, Li;  Chen, Xiufang;  Yang, Xianglong;  Hu, Xiaobo 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/11 Silicon carbide  Compound semiconductors  Electrical resistivity  X-ray  diffraction  Crystal growth   Thermal and nonthermal melting of III-V compound semiconductors 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2019, 卷号: 99 作者:  Medvedev, Nikita;  Fang, Zhaoji;  Xia, Chenyi;  Li, Zheng 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/30 Aluminum arsenide  Antimony compounds  Electrons  Free electron lasers  Gallium arsenide  Gallium phosphide  Melting  Semiconducting gallium arsenide  Born-Oppenheimer approximation  Disordered state  Electronic excitation  High density liquids  Non thermal effect  Non-Born Oppenheimer  Thermal phase transition  Tight binding methods  III-V semiconductors