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一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法 专利
专利号: CN108718030A, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2018-10-30
作者:  孙钱;  冯美鑫;  周宇;  高宏伟;  杨辉
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GaN基新型结构激光器及其制作方法 专利
专利号: CN107742825A, 申请日期: 2018-02-27, 公开日期: 2018-02-27
作者:  孙慧卿;  汪鑫;  郭志友;  张秀;  侯玉菲
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Sermiconductor light emitting device and method of manufacturing the same 专利
专利号: EP2270875B1, 申请日期: 2018-01-10, 公开日期: 2018-01-10
作者:  BADER, STEFAN;  HAHN, BERTHOLD;  HÄRLE, VOLKER;  LUGAUER, HANS-JÜRGEN;  MUNDBROD-VANGEROW, MANFRED
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Unintentional incorporation of Ga in the nominal AlN spacer of AlInGaN/AlN/GaN Heterostructure 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018
作者:  Dai, Shujun(戴淑君);  Gao, Hongwei(高宏伟);  Zhou, Yu(周宇);  Zhong, Yaozong;  Wang, Jin
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