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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Serum microRNAs as Early Indicators for Estimation of Exposure Degree in Response to Ionizing Irradiation 期刊论文 RADIATION RESEARCH, 2017, 卷号: 188, 页码: 342-354 作者:  Wei, Wenjun;  He, Jinpeng;  Wang, Jufang;  Ding, Nan;  Wang, Bing 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/05/31 The total ionizing dose response of a DSOI 4Kb SRAM 期刊论文 Microelectronics Reliability, 2017 作者:  Luo JJ(罗家俊);  Han ZS(韩郑生);  Li BH(李彬鸿);  Gao JT(高见头);  Kuang Y(匡勇) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/05/16 γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2017 作者:  苏丹丹 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/09/26 Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性   γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017 作者:  苏丹丹 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/09/26 Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性   Total ionizing dose effects and annealing behaviors of HfO2-based MOS capacitor 期刊论文 SCIENCE CHINA, 2017 作者:  Xu YN(徐彦楠);  Xu GB(许高博);  Xi K(习凯);  Li B(李博);  Liu M(刘明) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/07/13 Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1-5 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen);  Cui, JW (Cui, Jiangwei);  Liu, MX (Liu, Mengxin);  Su, DD (Su, Dandan);  Zhou, H (Zhou, Hang) 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2017/12/05 Silicon-on-insulator  Total Ionizing Dose  Static Random Access Memory  Static Noise Margin   Total Ionizing Dose Response of Hafnium-Oxide Based MOS Devices to Low-Dose-Rate Gamma Ray Radiation Observed by Pulse CV and On-Site Measurements 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2017, 卷号: 64, 页码: 673-682 作者:  Mu, Yifei;  Zhao, Ce Zhou;  Lu, Qifeng;  Zhao, Chun;  Qi, Yanfei 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/26 gamma irradiation  ALD  hafnium oxide  low-dose-rate  oxide trapped charges  pulse CV   Total Ionizing Dose Effects of Si Vertical Diffused MOSFET with SiO2and Si3N4/SiO2Gate Dielectrics 期刊论文 2017, 卷号: 2017 作者:  Mo, Jiongjiong[1];  Zhao, Xuran[2];  Zhou, Min[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/30 Total Ionizing Dose Effects of Si Vertical Diffused MOSFET with SiO2 and Si3N4/SiO2 Gate Dielectrics 期刊论文 2017 作者:  Mo, Jiongjiong[1];  Zhao, Xuran[2];  Zhou, Min[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/30