×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
合肥物质科学研究院 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2017 [7]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
限定条件
发表日期:2017
专题:合肥物质科学研究院
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Interface chemistry and electronic structure of ALD-derived HfAlO/Ge gate stacks revealed by X-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 716, 期号: 无, 页码: 1-6
作者:
He, Gang
;
Jiang, Shanshan
;
Li, Wendong
;
Zheng, Changyong
;
He, Huaxin
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2018/05/25
High-k Gate Dielectric
Atomic-layer-deposition
Interface Stability
Phase Separation
Annealing Temperature
Annealing temperature-dependent microstructure and optical and electrical properties of solution-derived Gd-doped ZrO2 high-k gate dielectrics
期刊论文
JOURNAL OF SOL-GEL SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 83, 期号: 3, 页码: 675-682
作者:
Zhu, L.
;
He, G.
;
Sun, Z. Q.
;
Liu, M.
;
Jiang, S. S.
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2018/08/16
Gd-doped Zro2 Gate Dielectric Thin Films
Annealing Temperature
Sol-gel
Optical Properties
Electrical Properties
Modulation of interfacial and electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ammonium sulfide passivation and rapid thermal annealing
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 704, 期号: 无, 页码: 322-328
作者:
Jiang, S. S.
;
He, G.
;
Liang, S.
;
Zhu, L.
;
Li, W. D.
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2018/07/04
High-k Gate Dielectrics
Interface Chemistry
Xps Electrical Properties
Cmos Devices
Interfacial modulation and electrical properties improvement of solution-processed ZrO2 gate dielectrics upon Gd incorporation
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 699, 期号: 无, 页码: 415-420
作者:
Xiao, D. Q.
;
He, G.
;
Lv, J. G.
;
Wang, P. H.
;
Liu, M.
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2018/07/04
High-k Gate Dielectrics
Gd Incorporation
Xps
Electrical Properties
Sol-gel
Interface quality modulation, band alignment modification and optimization of electrical properties of HfGdO/Ge gate stacks by nitrogen incorporation
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 695, 期号: 无, 页码: 2199-2206
作者:
Gao, J.
;
He, G.
;
Fang, Z. B.
;
Lv, J. G.
;
Liu, M.
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2018/07/04
High-k Gate Dielectrics
Interface Quality
Band Alignment
Electrical Properties
Leakage Current Mechanism
Annealing-temperature-modulated optical, electrical properties, and leakage current transport mechanism of sol-gel-processed high-k HfAlOX gate dielectrics
期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2017, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 3101-3106
作者:
Jin, P.
;
He, G.
;
Fang, Z. B.
;
Liu, M.
;
Xiao, D. Q.
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2018/07/04
High-k Hfalox Gate Dielectrics
Sol-gel
Optical Properties
Electrical Properties
Leakage Current Transport Mechanism
Modulation of interfacial and electrical properties of ALD-derived HfAlO/Al2O3/Si gate stack by annealing temperature
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 691, 期号: 无, 页码: 504-513
作者:
Gao, J.
;
He, G.
;
Liu, M.
;
Lv, J. G.
;
Sun, Z. Q.
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2017/11/21
High-k Dielectric
Interface Thermal Stability
Atomic-layer-deposition
Band Alignment
Electrical Properties
Leakage Current Mechanism
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace