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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：兰州理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Compact Model for Double-Gate Tunnel FETs with Gate-Drain Underlap 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: 64, 期号: 12, 页码: 5242-5248 作者:  Xu, Peng;  Lou, Haijun;  Zhang, Lining;  Yu, Zhonghua;  Lin, Xinnan 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/11/14 Capacitance  SPICE  Tunnel field effect transistors  Ambipolar currents  Compact model  Double gate tunnel fets  Doublegate tunnel fets (DG-TFET)  Effective resistances  Electrical characteristic  Gate drain  Tunneling field-effect transistors