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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2016     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Raman investigation of lattice defects and stress induced in InP and GaN films by swift heavy ion irradiation 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2016, 卷号: 372, 页码: 29-37 作者:  Hu, P. P.;  Liu, J.;  Zhang, S. X.;  Maaz, K.;  Zeng, J. 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/05/31 InP  GaN  Swift heavy ion irradiation  Raman shift  Defects   Influence of in content in InGaN barriers on crystalline quality and carrier transport of GaN-based light-emitting diodes (EI收录) 期刊论文 Journal of Physics D: Applied Physics, 2016, 卷号: 49 作者:  Lin, Zhiting[1,2];  Wang, Haiyan[1,2];  Lin, Yunhao[1,2];  Yang, Meijuan[1,2];  Wang, Wenliang[1,2] 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/04/24 Carrier concentration  Crystalline materials  Diodes  Efficiency  Gallium alloys  Gallium nitride  Quantum efficiency  Semiconducting indium compounds  Semiconductor quantum wells   A broadband polarization-independent perfect absorber with tapered cylinder structures 期刊论文 Opt. Mater., 2016, 卷号: 62, 页码: 227 作者:  Wang, Jianguo;  Shao, Jianda;  Yi, Kui;  Sun, Jian;  Zhu, Meiping 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/12/25