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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Finite element analysis of expansion-matched submounts for high-power laser diodes packaging 期刊论文 journal of semiconductors, 2016, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 064005 Ni Yuxi; Ma Xiaoyu; Jing Hongqi; Liu Suping 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/16 The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes 期刊论文 aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124 P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; J. J. Zhu; Z. S. Liu; J. Yang; X. Li; L. C. Le; X. G. He; W. Liu; X. J. Li; F. Liang; B. S. Zhang; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/03/10 Finite element analysis of expansion-matched submounts for high-power laser diodes packaging 期刊论文 journal of semiconductors, 2016, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 064005 Ni Yuxi; Ma Xiaoyu; Jing Hongqi; Liu Suping 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/02 Comparative study of the differential resistance of GaAs- and GaN-based laser diodes 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 2016, 卷号: 34, 期号: 4, 页码: 041211 Xiang Li; Zongshun Liu; Degang Zhao; Desheng Jiang; Ping Chen; Jianjun Zhu; Jing Yang; Lingcong Le; Wei Liu; Xiaoguang He; Xiaojing Li; Feng Liang 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/10 The effectiveness of electron blocking layer in InGaN-based laser diodes with different indium content 期刊论文 physica status solidi (a), 2016, 卷号: 213, 期号: 8, 页码: 2223–2228 X. Li; D. G. Zhao*; D. S. Jiang; P. Chen; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; W. Liu; X. G. He; X. J. Li; F. Liang; L. Q. Zhang; J. P. Liu; H. Yang 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/03/10 Effectiveness of inserting an InGaN interlayer to improve the performances of InGaN-based blue-violet laser diodes 期刊论文 chinese optics letters, 2016, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 062502 Xiang Li; Degang Zhao 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2017/03/10