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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Room-temperature continuous-wave electrically injected InGaN-based laser directly grown on Si 期刊论文 NATURE PHOTONICS, 2016, 卷号: 10, 期号: 9 作者:  Sun, Y(孙逸);  Zhou, K;  Sun, Q(孙钱);  Liu, JP(刘建平);  Feng, MX(冯美鑫) 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2017/03/11 Stress analysis of transferable crack-free gallium nitride microrods grown on graphene/SiC substrate 期刊论文 MATERIALS LETTERS, 2016, 卷号: 185 作者:  Qi, Lin;  Xu, Yu;  Li, Zongyao;  Zhao, En;  Yang, Song 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2017/03/11 Facile fabrication of centimeter-scale stripes with inverse-opal photonic crystals structure and analysis of formation mechanism 期刊论文 RSC ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 60 作者:  Ding, C;  Hu, JC;  Yuan, W(袁伟);  Du, DZ;  Yang, Y 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/03/11 Fabrication of crack-free AlN film on sapphire by hydride vapor phase epitaxy using an in situ etching method 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 4 作者:  Liu, XH(刘雪华);  Zhang, JC(张纪才);  Su, XJ(苏旭军);  Huang, J(黄俊);  Zheng, SN(郑树楠) 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2017/03/11 Influence of the TMAl source flow rate of the high temperature AlN buffer on the properties of GaN grown on Si(111) substrate 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 671 作者:  Wang, K;  Xing, YH;  Han, J;  Zhao, KK;  Guo, LJ 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2017/03/11 Strong, flexible and thermal-resistant CNT/polyarylacetylene nanocomposite films 期刊论文 RSC ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 5 作者:  Cai, WF;  Li, M;  Wang, SK;  Gu, YZ;  Li, QW(李清文) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11