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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Comparison of microstructure and electrical characteristics of sputtering-derived HfGdO/HfTiO and HfTiO/HfGdO gate stacks 期刊论文 Ceramics International, 2015, 卷号: Vol.41 No.8, 页码: 10216-10221 作者:  Lv,J. G.;  Zhang,J. W.;  Sun,Z. Q.;  Liu,M.;  Ma,R. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 THIN-FILM-TRANSISTOR  DEPOSITION  HFO2  DIELECTRICS  MECHANISMS  DEVICES  LAYER   Effects of rapid thermal annealing on interfacial and electrical properties of Gd-doped HfO2 high-k gate dielectrics 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2015, 卷号: Vol.646, 页码: 310-314 作者:  Jiweng Zhang;  Mao Liu;  Lide Zhang;  Juan Gao;  Xuefei Chen 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/22 Gd-doped  HfO  thin  film  Rapid  thermal  annealing  Interfacial  properties  Electrical  properties   Research of data retention for charge trapping memory by first-principles 期刊论文 Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2015, 卷号: Vol.64 No.21 作者:  Wang Jia-Yu;  Jiang Xian-Wei;  Dai Guang-Zhen;  Chen Jun-Ning;  Jin Bo 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 NONVOLATILE MEMORY  STORAGE LAYER  FLASH MEMORY  OXIDE  OXYGEN  HFO2   Modulation of charge trapping and current-conduction mechanism of TiO2-doped HfO2 gate dielectrics based MOS capacitors by annealing temperature 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2015, 卷号: Vol.647, 页码: 1054-1060 作者:  X.F. Chen;  Z.Q. Sun;  H.S. Chen;  J.W. Zhang;  R. Ma 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/22 High-k  gate  dielectrics  TiO-doped  HfO  Puttering  Current-conduction  mechanism   Effect of Al doping on the reliability of HfO2 as a trapping layer: First-principles study 期刊论文 Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2015, 卷号: Vol.64 No.9 作者:  Wang Jia-Yu;  Jiang Xian-Wei;  Dai Guang-Zhen;  Chen Jun-Ning;  Dai Yue-Hua 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/04/22 1ST PRINCIPLES CALCULATION  NONVOLATILE MEMORY  ELECTRONIC-STRUCTURE  CHARGE STORAGE  DEVICE  OXIDE   Composition dependent interfacial thermal stability, band alignment and electrical properties of Hf1−xTixO2/Si gate stacks 期刊论文 Applied Surface Science, 2015, 卷号: Vol.346, 页码: 489-496 作者:  Liu,Y. M.;  Zhang,J. W.;  Chen,X. S.;  Sun,Z. Q.;  Chen,H. S. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 HFO2 THIN-FILMS  MOS CAPACITORS  OXIDE-FILMS  OPTICAL-PROPERTIES  TI  DEPOSITION  DIELECTRICS  SILICON  MICROSTRUCTURE  TEMPERATURE   Dielectric Properties of Pure and Gd-Doped HfO2 Ceramics. 期刊论文 Journal of the American Ceramic Society, 2015, 卷号: Vol.98 No.12, 页码: 3918-3924 作者:  Qiuju Li;  Chunchang Wang;  Da Zhang;  Yide Li;  Yi Yu 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/22 First principle simulations on the effects of oxygen vacancy in HfO2-based RRAM 期刊论文 AIP Advances, 2015, 卷号: Vol.5 No.1, 页码: 017133 作者:  Xu,Jianbin;  Zhao,Yuanyang;  Dai,Yuehua;  Yang,Fei;  Wang,Jiayu 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/22 OXIDE FILMS  NEGATIVE RESISTANCE  NONVOLATILE MEMORY   Effect of oxygen vacancy on lattice and electronic properties of HfO2 by means of density function theory study 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: Vol.64 No.3 作者:  Jiang Xian-Wei;  Dai Guang-Zhen;  Liu Qi;  Chen Jun-Ning;  Dai Yue-Hua 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/22 HAFNIUM-ALUMINUM-OXIDE  CUBIC HFO2  MEMORY   Optimal migration path of Ag in HfO2: A first-principles study 期刊论文 Chinese Physics B, 2015, 卷号: Vol.24 No.7, 页码: 073101 作者:  Dai Yue-Hua;  Chen Zhen;  Li Ning;  Li Xiao-Feng;  Jin Bo 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 RESISTIVE SWITCHING MEMORIES  POPULATION ANALYSIS  TEMPERATURE  CHALLENGES  NANOIONICS  BULK