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一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201210483461.X, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-03-27
作者:  史晶晶;  白云;  刘可安;  申华军;  汤益丹
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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110021062.7, 申请日期: 2015-08-05, 公开日期: 2012-07-18
作者:  罗军;  赵超
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SiC肖特基势垒二极管的研制及可靠性研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2015
作者:  于海龙
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