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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of a deep-level-defect band formed in a heavily Mg-doped GaN contact layer on the Ni/Au contact to p-GaN 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 5 作者:  Li,XJ;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2015/12/31 ohmic contact  p-type GaN  transportation mechanism  deep-level-defect band   GaInP/GaAs tandem solar cells with highly Te- and Mg-doped GaAs tunnel junctions grown by MBE 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 10, 页码: 7 作者:  Zheng, XH(郑新河);  Liu, SJ;  Xia, Y;  Gan, XY;  Wang, HX 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2015/12/31 Te doping  Mg doping  GaAs tunnel junction  GaInP/GaAs tandem solar cell  molecular beam epitaxy