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期刊论文 [31]
发表日期
2015 [31]
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共31条,第1-10条
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发表日期:2015
内容类型:期刊论文
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70
75
80
85
90
95
100
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Broadband non-polarizing beam splitter based on guided mode resonance effect
期刊论文
2015, 2015
麻健勇
;
许程
;
强颖怀
;
朱亚波
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/06/15
non-polarizing beam splitter
guided mode resonance
silicon-on-insulator
rigorous coupled-wave analysis
Towards single-trap spectroscopy_Generation-recombination noise in UTBOX SOI nMOSFETs
期刊论文
Phys. Status Solidi C, 2015
作者:
Luo J(罗军)
;
Fang W(方雯)
;
Zhao C(赵超)
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2016/05/31
Length-extensional resonating gas sensors with ic-foundry compatible low-cost fabrication in non-soi single-wafer
期刊论文
Microelectronic engineering, 2015, 卷号: 136, 页码: 1-7
作者:
Yu, Feng
;
Xu, Pengcheng
;
Wang, Jiachou
;
Li, Xinxin
收藏
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2019/05/10
Resonant gas sensor
Extensional bulk resonance mode
Non-soi wafer
Low-cost fabrication
Integrated-circuit foundry
Organo-phosphorous pesticide
基于SOI CMOS工艺的LVDS驱动器设计
期刊论文
半导体技术, 2015
作者:
刘海南
;
卜山
;
周玉梅
;
赵建中
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2016/05/19
电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响
期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 7, 页码: 393-398
作者:
刘远
;
陈海波
;
何玉娟
;
王信
;
岳龙
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2015/06/26
绝缘体上硅
部分耗尽
电离辐射
低频噪声
Low frequency noise and radiation response in the partially depleted SOI MOSFETs with ion implanted buried oxide
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 8, 页码: 1-6
作者:
Liu, Y (Liu Yuan)
;
Chen, HB (Chen Hai-Bo)
;
Liu, YR (Liu Yu-Rong)
;
Wang, X (Wang Xin)
;
En, YF (En Yun-Fei)
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2018/01/25
SilicOn On Insulator
Ion implantatIon
Ionizing Radiation
Low Frequency Noise
The first high-resolution stalagmite record from Taiwan: Climate and environmental changes during the past 1300 years
期刊论文
Journal of Asian Earth Sciences, 2015, 卷号: 114, 期号: Part 3, 页码: 574-587
作者:
Hong-Chun Li
;
Min Zhao
;
Chia-Hsin Tsai
;
Horng-Sheng Mii
;
Queenie Chang
;
Kuo-Yen Wei
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/09/03
Stalagmite
ams 14c Dating
late Holocene
δ18o And Δ13c
elemental Content
paleoclimate
south Taiwan
A Novel Interface-Gate Structure for SOI Power MOSFET to Reduce Specific On-Resistance
期刊论文
2015, 卷号: 32
作者:
Hu Sheng-Dong[1,2]
;
Jin Jing-Jing[1]
;
Chen Yin-Hui[1]
;
Jiang Yu-Yu[1]
;
Cheng Kun[1]
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/11/28
Improving Breakdown Voltage for a Novel SOI LDMOS with a Lateral Variable Doping Profile on the Top Interface of the Buried Oxide Layer
期刊论文
2015
作者:
Jin, Jingjing[1]
;
Hu, Shengdong[1,2]
;
Chen, Yinhui[1]
;
Tan, Kaizhou[2]
;
Luo, Jun[2]
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/11/28
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