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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2014     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 半导体器件及其制造方法 专利 专利号: US8710556, 申请日期: 2014-04-29, 公开日期: 2011-07-07 作者:  尹海洲;  梁擎擎;  骆志炯;  朱慧珑 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/05/28 A novel method for measuring parasitic resistance in high electron mobility transistors 期刊论文 固体电子学, 2014 Yang, Zhen; Wang, Jinyan; Li, Xiaoping; Zhang, Bo; Zhao, Jian; Xu, Zhe; Wang, Maojun; Yu, Min; Yang, Zhenchuan; Wu, Wengang; Zhang, Yuming; Zhang, Jincheng; Ma, Xiaohua; Hao, Yue 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/11/10 Parasitic resistance  High-electron mobility transistor (HEMT)  Floating-gate