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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2014     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法 专利 专利号: US8647987, 申请日期: 2014-02-11, 公开日期: 2013-10-24 作者:  卢一泓;  杨涛;  赵超;  李俊峰;  侯瑞兵 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/05/27 An aluminum gate chemical mechanical planarization model for HKMG process incorporating chemical and mechanical effects 期刊论文 ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2014 作者:  Xu QZ(徐勤志);  Chen L(陈岚) 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/03 Feature-Scale Simulations of Particulate Slurry Flows in Chemical Mechanical Polishing by Smoothed Particle Hydrodynamics 其他 2014-01-01 Wang, Dong; Shao, Sihong; Yan, Changhao; Cai, Wei; Zeng, Xuan 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/16 Chemical mechanical polishing  smoothed particle hydrodynamics  particulate flow  rough pad  wafer defects  abrasive concentration  MATERIAL REMOVAL RATE  NUMERICAL-SIMULATION  CONTACT-MECHANICS  MOLECULAR SCALE  FLUID PRESSURE  SPH  CMP  PLANARIZATION  MODEL  SIZE   Preparation of porous alumina-g-polystyrene sulfonic acid abrasive and its chemical mechanical polishing behavior on hard disk substrate 期刊论文 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2014, 卷号: 116, 页码: 11-16 作者:  Huang, Liqin[1];  Wang, Zhijun[2];  Lei, Hong[3];  Chen, Ruling[4] 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/04/30 Chemical mechanical polishing (CMP)  Porous alumina-g-polystyrene sulfonic acid abrasive  Hard disk substrate  Planarization