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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2014     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 CCD成像系统模拟式自校图形实现装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: 201210137049.2, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2014-10-15 王文华; 张宇; 李国宁; 韩双丽 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/02/10 质子辐照导致科学级CCD电离和位移损伤及其机理分析 会议论文 中国甘肃兰州, 2014-08-13 作者:  文林;  李豫东;  郭旗;  任迪远;  汪波 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/06/04 Ccd  质子辐照  电离效应  位移损伤  体缺陷   交联聚四氟乙烯表面预辐射接枝改性研究 会议论文 2014年全国高分子材料科学与工程研讨会, 中国四川成都 毕宸洋; 张天骄; 郭强; 翟文恺; 吴国忠 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2015/03/13 cross-linked polytetrafluoroethylene  pre-irradiation  methyl methacrylate grafting   辐射环境中电子元器件的抗辐射性能对比实验系统和方法 专利 申请日期: 2014-01-01, 作者:  罗均[1];  颜春明[2];  蒲华燕[3];  刘恒利[4];  张娟[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/30