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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2014    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A Multi-V-th a-IGZO TFT Technology Using Anodization to Selectively Reduce Oxygen Vacancy Concentration in Channel Regions 期刊论文 ieee electron device letters, 2014 He, Xin; Xiao, Xiang; Shao, Yang; Deng, Wei; Leng, Chuanli; Zhang, Shengdong 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/10 a-IGZO  TFT  multi threshold voltage  anodic oxidation  FILM TRANSISTORS  OXIDE  PERFORMANCE  ALUMINUM   High Temperature Characteristics of GaN-Based Inverter Integrated With Enhancement-Mode (E-Mode) MOSFET and Depletion-Mode (D-Mode) HEMT 期刊论文 ieee electron device letters, 2014 Xu, Zhe; Wang, Jinyan; Cai, Yong; Liu, Jingqian; Yang, Zhen; Li, Xiaoping; Wang, Maojun; Yu, Min; Xie, Bing; Wu, Wengang; Ma, Xiaohua; Zhang, Jincheng; Hao, Yue 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/10 GaN  inverter  DCFL  small variations  ALGAN/GAN HEMTS  CIRCUITS