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北京大学 [6]
内容类型
其他 [3]
期刊论文 [3]
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2012 [6]
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发表日期:2012
专题:北京大学
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Complementary Metal Oxide Semiconductor Compatible Hf-Based Resistive Random Access Memory with Ultralow Switching Current/Power
期刊论文
日本应用物理学杂志, 2012
Zhang, Feifei
;
Li, Xiang
;
Gao, Bin
;
Chen, Bing
;
Huang, Peng
;
Fu, Yihan
;
Chen, Yuansha
;
Liu, Lifeng
;
Kang, Jinfeng
;
Singh, Navab
;
Lo Guo-Qiang
;
Kwong, Dim-Lee
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提交时间:2015/11/13
LOW-POWER
RRAM
LAYER
Improvement of Reliability Characteristics of TiO2-Based Resistive Switching Memory Device with an Inserted ZnO Layer
期刊论文
日本应用物理学杂志, 2012
Liu, Lifeng
;
Yu, Di
;
Chen, Bing
;
Zhang, Feifei
;
Gao, Bin
;
Li, Boyang
;
Han, Dedong
;
Kang, Jinfeng
;
Zhang, Xing
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
OXIDE
Thermodynamic properties and structural stability of thorium dioxide
期刊论文
journal of physics condensed matter, 2012
Lu, Y.
;
Yang, Y.
;
Zhang, P.
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/16
AUGMENTED-WAVE METHOD
THERMAL-CONDUCTIVITY
VIBRATIONAL FREQUENCIES
THO2
1ST-PRINCIPLES
TEMPERATURE
CRYSTALS
POINTS
UO2
Improvement of Endurance Degradation for Oxide Based Resistive Switching Memory Devices Correlated With Oxygen Vacancy Accumulation Effect
其他
2012-01-01
Lu, Y.
;
Chen, B.
;
Gao, B.
;
Fang, Z.
;
Fu, Y. H.
;
Yang, J. Q.
;
Liu, L. F.
;
Liu, X. Y.
;
Yu, H. Y.
;
Kang, J. F.
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2015/11/13
hafnium oxide
nonvolatile memory
endurance
conductive filament
oxygen vacancy
RRAM
Oxide-Based RRAM: A Novel Defect-Engineering-Based Implementation For Multilevel Data Storage
其他
2012-01-01
Kang, J. F.
;
Gao, B.
;
Chen, B.
;
Liu, L. F.
;
Liu, X. Y.
;
Yu, H. Y.
;
Wang, Z. R.
;
Yu, B.
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
Resistive switching memory (RRAM)
multilevel data storage
defect-engineering
Oxide-based RRAM: A novel defect-engineering-based implementation for multilevel data storage
其他
2012-01-01
Kang, J.F.
;
Gao, B.
;
Chen, B.
;
Liu, L.F.
;
Liu, X.Y.
;
Yu, H.Y.
;
Wang, Z.R.
;
Yu, B.
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
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