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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Conduction and valence band discontinuities in some new semiconductor heterojunctions 期刊论文 Journal of nanoscience and nanotechnology, 2011, 卷号: 11, 期号: 11, 页码: 9368-9383 作者:  Zhu, Qinsheng;  Wu, Ju;  Li, Chengming;  Wang, Zhanguo 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Band discontinuity  Heterojunction  X-ray photoemission spectroscopy (xps)   Valence band offset of wurtzite inn/srtio3 heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 4 作者:  Li, Zhiwei;  Zhang, Biao;  Wang, Jun;  Liu, Jianming;  Liu, Xianglin 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512 Lv YJ; Lin ZJ; Corrigan TD; Zhao JZ; Cao ZF; Meng LG; Luan CB; Wang ZG; Chen H 收藏  |  浏览/下载：64/6  |  提交时间：2011/07/05 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  GAN  DEPENDENCE  CONTACTS  STATES  NI   Quantum-dot-induced optical transition enhancement in InAs quantum-dot-embedded p-i-n GaAs solar cells 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 11, 页码: 113514 Shang XJ; He JF; Li MF; Zhan F; Ni HQ; Niu ZC; Pettersson H; Fu Y 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 WELL INFRARED PHOTODETECTOR  PHOTOCURRENT  EFFICIENCY   Determination of InN/Diamond Heterojunction Band Offset by X-ray Photoelectron Spectroscopy 期刊论文 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.50 作者:  Wei HY;  Song HP;  Zhang B 收藏  |  浏览/下载：64/2  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CORE-LEVEL PHOTOEMISSION  SB-DOPED SNO2  INN  GROWTH  GAN  NAXWO3  ALLOYS  GREEN  STATE