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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：厦门大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Significant increase of crystalline quality and green emission by an interface modification of InGaN/GaN quantum wells 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1007/s00339-010-6113-2, 2011 Lin, Youxi; Fang, Zhilai; 方志来 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 LIGHT-EMITTING-DIODES  GALLIUM NITRIDE   Generalized projective representations for sl(n+1) 期刊论文 2011 Zhao, Y. F.; Xu, X. P.; 赵玉芬 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/12/12 Special linear Lie algebra  Representation of Lie algebra  Characteristic identities   Energy band design for p-type tensile strained Si/SiGe multi-quantum well infrared photodetector 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1007/s11801-011-0164-2, 2011 Li, Jin-tao; Chen, Song-yan; Qi, Dong-feng; Huang, Wei; Li, Cheng; Lai, Hong-kai; 陈松岩; 黄巍; 李成; 赖虹凯 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/07/22 Band structure  Germanium  Infrared detectors  Optoelectronic devices  Semiconductor quantum wells   MOCVDGaN/InN/GaN量子阱的应变表征 期刊论文 2011 王元樟; 林伟; 李书平; 陈航洋; 康俊勇; 张小英 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2016/05/17 GaN基半导体  量子阱  应变  高分辨率X射线衍射  原子力显微镜  GaN-based semiconductor  quantum well  strain  high-resolution x-ray diffraction  atomic force microscopy   提高GaN基LED发光效率的研究 学位论文 2011, 2010 朱丽虹 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/07/17 GaN基LED  GaN-based LED  蒙托卡罗方法  Monte Carlo photon-raytracing method  MOCVD  MOCVD  InGaN/GaN 多量子阱  InGaN/GaN MQW  欧姆接触  ohmic contact  侧向外延过生长  LEO technique  极化效应  polarization effect.  内量子效率。   An all-inorganic type-II heterojunction array with nearly full solar spectral response based on ZnO/ZnSe core/shell nanowires 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1039/c0jm03971c, 2011 Wu, Z. M.; Zhang, Y.; Zheng, J. J.; Lin, X. G.; Chen, X. H.; Huang, B. W.; Wang, H. Q.; Huang, K.; Li, S. P.; Kang, J. Y.; 康俊勇 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS  PHOTOELECTROCHEMICAL CELLS  ZNO NANORODS  GROWTH  FILMS  COST