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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2011    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：118/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   Redshift and discrete energy level separation of self-assembled quantum dots induced by strain-reducing layer 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 6, 页码: article no.64320 作者:  Yang T 收藏  |  浏览/下载：53/5  |  提交时间：2011/07/05 PHOTOLUMINESCENCE  EMISSION  INALAS   The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42 作者:  Song HP;  Shi K;  Sang L;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：58/3  |  提交时间：2011/07/05 Metal organic chemical vapor deposition  Sapphire  Zinc compounds  Semiconducting II-VI materials  VAPOR-PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  ZNO NANORODS  RAMAN-SCATTERING  M-PLANE  FILMS  PHOTOLUMINESCENCE  DEPOSITION  NANOWIRES  FIELDS   Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition 期刊论文 rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251 作者:  Li GK 收藏  |  浏览/下载：75/2  |  提交时间：2011/07/05 vanadium dioxide  infrared transition  diffraction effect  dual ion beam sputtering  annealing