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Structure and properties of inas/alas quantum dots for broadband emission 期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 10, 页码: 5
作者:  Meng, X. Q.;  Jin, P.;  Liang, Z. M.;  Liu, F. Q.;  Wang, Z. G.
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单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构 专利
专利号: CN200710178321.0, 申请日期: 2010-11-03, 公开日期: 2009-06-03
作者:  徐静波;  张海英;  叶甜春
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/11/26
Localized mixed acoustic modes in non-cubic-axial superlattice with a cap layer 期刊论文
2010, 2010
Yang, J; Li, WX; Duan, WH
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Influence of longitudinal electric field on the hot-phonon effect in quantum wells 期刊论文
2010, 2010
Zhang, J. -Z.; Zhu, B. -F.
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InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法 专利
专利号: CN101685942A, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31
作者:  劳燕锋;  曹春芳;  吴惠桢;  刘成;  曹萌
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31
High-resolution electron microscopy of misfit dislocations in AlSb/GaAs (001) system 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2010, 卷号: 59, 期号: 3, 页码: 1928
Wen, C; Li, FH; Zou, J; Chen, H
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/17
Fe/Al2O3/(GaAs/AlAs)多量子阱结构中的自旋滤波现象研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
李韫慧
收藏  |  浏览/下载：124/0  |  提交时间：2010/10/11
Structure and properties of InAs/AlAs quantum dots for broadband emission 期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 10, 页码: art. no. 103515
Meng XQ (Meng X. Q.); Jin P (Jin P.); Liang ZM (Liang Z. M.); Liu FQ (Liu F. Q.); Wang ZG (Wang Z. G.); Zhang ZY (Zhang Z. Y.)
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/12/28
Terahertz electroluminescence from Be delta-doped GaAs/AlAs quantum well 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 97, 期号: 2
作者:  Li, Su Mei;  Zheng, Wei Min;  Wu, Ai Ling;  Cong, Wei Yan;  Liu, Jing
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量子限制受主远红外电致发光器件的制备与测量 期刊论文
物理学报, 2010, 期号: 04, 页码: 2728-2733
作者:  刘静;  郑卫民;  宋迎新;  初宁宁;  李素梅
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/26

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