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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2010    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ferromagnetic properties in fe-doped zns thin films 期刊论文 Optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2010, 卷号: 4, 期号: 12, 页码: 2072-2075 作者:  Zhu, Feng;  Dong, Shan;  Yang, Guandong 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Fe-doped zns  First principles calculation  Ferromagnetic properties  High curie temperature   The growth of zno on bcc-in2o3 buffer layers and the valence band offset determined by x-ray photoemission spectroscopy 期刊论文 Solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 41-42, 页码: 1991-1994 作者:  Song, H. P.;  Zheng, G. L.;  Yang, A. L.;  Guo, Y.;  Wei, H. Y. 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Zno  In2o3  Mocvd  Photoelectron spectroscopies   Three-dimensional hole gas induced by polarization in (0001)-oriented metal-face iii-nitride structure 期刊论文 Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 3 作者:  Zhang, L.;  Ding, K.;  Yan, J. C.;  Wang, J. X.;  Zeng, Y. P. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium compounds  Electron gas  Gallium compounds  Iii-v semiconductors  Mocvd  Polarisation  Semiconductor doping  Semiconductor thin films  Wide band gap semiconductors   Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in inn films 期刊论文 Applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 139-143 作者:  Liu, B.;  Zhang, Z.;  Zhang, R.;  Fu, D. Y.;  Xie, Z. L. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Ferromagnetic properties in Fe-doped ZnS thin films 期刊论文 optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2010, 卷号: 4, 期号: 12, 页码: 2072-2075 Zhu F; Dong S; Yang GD 收藏  |  浏览/下载：38/1  |  提交时间：2011/07/06 Fe-doped ZnS  First principles calculation  Ferromagnetic properties  High Curie temperature  OPTICAL-PROPERTIES  SEMICONDUCTORS   Strain effects on optical polarisation properties in (11(2)over-bar2) plane GaN films 期刊论文 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: art. no. 117104 Hao GD (Hao Guo-Dong); Chen YH (Chen Yong-Hai); Fan YM (Fan Ya-Ming); Huang XH (Huang Xiao-Hui); Wang HB (Wang Huai-Bing) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/12/28 LIGHT-EMITTING-DIODES  WURTZITE SEMICONDUCTORS  QUANTUM-WELLS  MATRIX-ELEMENTS  SEMIPOLAR  SAPPHIRE   Photoluminescence spectroscopy and positron annihilation spectroscopy probe of alloying and annealing effects in nonpolar m-plane ZnMgO thin films 期刊论文 applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 15, 页码: art. no. 151904 作者:  Jin P;  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：185/32  |  提交时间：2010/05/04 alloying  annealing  electrical conductivity  excitons  II-VI semiconductors  magnesium compounds  MOCVD coatings  photoluminescence  positron annihilation  semiconductor thin films  vacancies (crystal)  wide band gap semiconductors  zinc compounds  SEMICONDUCTORS  EMISSION  ORIGIN  DIODES   Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：58/1  |  提交时间：2011/07/05 BAND-GAP  INDIUM NITRIDE  TRANSPORT  EMISSION   IN-PLANE OPTICAL ANISOTROPY OF STRAINED WURTZITE GaN IN THE A- AND R-PLANES 期刊论文 international journal of modern physics b, 2010, 卷号: 24, 期号: 27, 页码: 5439-5450 作者:  Hao GD 收藏  |  浏览/下载：49/5  |  提交时间：2011/07/05 Strain effect  optical anisotropy  A-plane  R-plane  CONTINUOUS-WAVE OPERATION  LIGHT-EMITTING-DIODES  LASER-DIODES  POLARIZATION ANISOTROPY  QUANTUM-WELLS  SEMICONDUCTORS   Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in InN films 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 139-143 Liu B; Zhang Z; Zhang R; Fu DY; Xie ZL; Lu H; Schaff WJ; Song LH; Cui YC; Hua XM; Han P; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：196/52  |  提交时间：2010/04/28 BAND-GAP  TEMPERATURE-DEPENDENCE  ENERGY  SEMICONDUCTORS  SPECTRA  EPITAXY  GROWTH  LAYERS