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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2010    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 混合材料反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101719500A, 申请日期: 2010-06-02, 公开日期: 2010-06-02 肖德元; 王曦; 张苗; 陈静; 薛忠营 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/01/06 混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101719499A, 申请日期: 2010-06-02, 公开日期: 2010-06-02 肖德元; 王曦; 张苗; 陈静; 薛忠营 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06 混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101719498A, 申请日期: 2010-06-02, 公开日期: 2010-06-02 肖德元; 王曦; 张苗; 陈静; 薛忠营 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/01/06 混合材料积累型全包围栅CMOS场效应晶体管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101710584A, 申请日期: 2010-05-19, 公开日期: 2010-05-19 肖德元; 王曦; 张苗; 陈静; 薛忠营 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/01/06