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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2009     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法 专利 专利号: CN100459045C, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-02-04 作者:  刘宁;  金鹏;  王占国 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/26 GaAs基短周期InAs/GaSb超晶格红外探测器研究 期刊论文 红外与毫米波学报, 2009, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 165-167 作者:   收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23 InGaAs表面粗糙化的研究 学位论文 2009 作者:  潘金福 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/02 分子束外延  低温扫描隧道显微镜  InGaAs  粗糙化  晶格失配   杂质与缺陷对GaMnAs光学特性影响的研究 期刊论文 光散射学报, 2009, 卷号: 021 作者:  钟玉杰;  程顺昌;  苏平;  龚敏;  石瑞英 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/11/25 GaMnAs缺陷  红外光谱  光电导   杂质与缺陷对GaMnAs光学特性影响的研究 期刊论文 光散射学报, 2009, 卷号: 021 作者:  钟玉杰;  程顺昌;  苏平;  龚敏;  石瑞英 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/11/25 GaMnAs缺陷  红外光谱  光电导